Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

חלק מלאי: 1645

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 500mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 500mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

חלק מלאי: 131336

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 100mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 620mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
CLS01(TE16L,PAS,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

חלק מלאי: 1424

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.47V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
DSF01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

חלק מלאי: 1267

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 100mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
CLS01(T6LSONY,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

חלק מלאי: 1440

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.47V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CLH05(T6L,NKOD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

חלק מלאי: 1359

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.98V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
CLH03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

חלק מלאי: 1368

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A (DC), מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
CMS03(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

חלק מלאי: 1091

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

חלק מלאי: 1170

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 700mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

חלק מלאי: 1121

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 500mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 500mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

חלק מלאי: 852

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 101221

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 510mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 779

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 470mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 186793

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 360mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

חלק מלאי: 9971

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

חלק מלאי: 186045

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 161979

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 360mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

חלק מלאי: 122216

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 80V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 215mA, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

חלק מלאי: 168808

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 500mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 470mV @ 500mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 784

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 390mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

חלק מלאי: 171031

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 400mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

חלק מלאי: 142010

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 140mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5ns,

רשימת משאלות
CMS09(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

חלק מלאי: 262

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

חלק מלאי: 173

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 510mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS02(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

חלק מלאי: 183

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 400mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS04(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

חלק מלאי: 211

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 370mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS11(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

חלק מלאי: 213

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

חלק מלאי: 196

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 460mV @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

חלק מלאי: 264

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 360mV @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

חלק מלאי: 5028

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 980mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

חלק מלאי: 200

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 360mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

חלק מלאי: 264

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 360mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS01(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

חלק מלאי: 178

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 370mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 129014

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 370mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

חלק מלאי: 124325

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 400mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

חלק מלאי: 143420

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות