דיודות - מיישרים - יחיד | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 193

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 700mA, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 250

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 700mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 223

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

חלק מלאי: 162

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 490mV @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 183

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 700mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 700mA, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 178

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 166

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 490mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 130001

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

חלק מלאי: 2615

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

חלק מלאי: 2547

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.55V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

חלק מלאי: 2587

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.55V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

חלק מלאי: 2557

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

חלק מלאי: 2558

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

חלק מלאי: 2588

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.98V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

חלק מלאי: 2552

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

חלק מלאי: 2596

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.47V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

חלק מלאי: 2554

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

חלק מלאי: 2598

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.98V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

חלק מלאי: 2581

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.98V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

חלק מלאי: 2562

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

חלק מלאי: 2544

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.55V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

חלק מלאי: 2597

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.55V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

חלק מלאי: 2590

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.55V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

חלק מלאי: 2608

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

חלק מלאי: 2533

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.98V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

חלק מלאי: 2549

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.47V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

חלק מלאי: 2564

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

חלק מלאי: 2613

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

חלק מלאי: 2603

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A (DC), מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

חלק מלאי: 2602

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

חלק מלאי: 5263

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

חלק מלאי: 2547

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

חלק מלאי: 2552

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 0.58V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

חלק מלאי: 5332

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

חלק מלאי: 2062

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 400mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 102694

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות