Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 117

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 480mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

חלק מלאי: 100

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 88

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 500mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 3V @ 500mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

חלק מלאי: 166057

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 490mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 177271

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

חלק מלאי: 79

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 400mV @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 163

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 194437

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 185173

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 157727

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 700mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2V @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות
CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

חלק מלאי: 160805

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 980mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

חלק מלאי: 142

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 360mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 160837

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 187277

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

חלק מלאי: 192

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 104522

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

חלק מלאי: 152

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 520mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

חלק מלאי: 178640

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 600mV @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

חלק מלאי: 160204

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

חלק מלאי: 5730

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 12A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

רשימת משאלות
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 236

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 113027

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

חלק מלאי: 200

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 390mV @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 182845

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 177

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 2A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

חלק מלאי: 158

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 460mV @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 162

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 980mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות
CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 175

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 700mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 520mV @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 154

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 370mV @ 700mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

חלק מלאי: 159

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 500mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 500mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 168712

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 980mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 153282

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 171

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

חלק מלאי: 187

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 490mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 184

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

חלק מלאי: 172

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 2A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות