טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 6

RN2607(TE85L,F)

חלק מלאי: 114

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1507(TE85L,F)

חלק מלאי: 173834

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT

חלק מלאי: 146118

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4608(TE85L,F)

חלק מלאי: 136

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

חלק מלאי: 158

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4604(TE85L,F)

חלק מלאי: 154

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 90

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962TE85LF

חלק מלאי: 121

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4983,LF(CT

חלק מלאי: 153425

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902,LF(CT

חלק מלאי: 158672

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2964(TE85L,F)

חלק מלאי: 160

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2961(TE85L,F)

חלק מלאי: 145

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 169

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1609(TE85L,F)

חלק מלאי: 147

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2507(TE85L,F)

חלק מלאי: 152

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1903,LF(CT

חלק מלאי: 100046

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1508(TE85L,F)

חלק מלאי: 80

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1904,LF(CT

חלק מלאי: 161530

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2704JE(TE85L,F)

חלק מלאי: 106

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2504(TE85L,F)

חלק מלאי: 117

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2503(TE85L,F)

חלק מלאי: 155

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2606(TE85L,F)

חלק מלאי: 132

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4987,LF(CT

חלק מלאי: 131504

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN49A2,LF(CT

חלק מלאי: 119081

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2710JE(TE85L,F)

חלק מלאי: 107

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906,LF(CT

חלק מלאי: 102425

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4601(TE85L,F)

חלק מלאי: 119

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4984,LF(CT

חלק מלאי: 182689

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2705JE(TE85L,F)

חלק מלאי: 149

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2962(TE85L,F)

חלק מלאי: 154

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904,LF(CT

חלק מלאי: 137101

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910,LF(CT

חלק מלאי: 139248

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4985,LF(CT

חלק מלאי: 181640

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1705JE(TE85L,F)

חלק מלאי: 82

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF(CT

חלק מלאי: 141738

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2701JE(TE85L,F)

חלק מלאי: 102

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות