Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901(T5L,F,T)

חלק מלאי: 1552

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN4902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE,LF(CT

חלק מלאי: 196360

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965(TE85L,F)

חלק מלאי: 9983

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1963FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 1435

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1505(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1505(TE85L,F)

חלק מלאי: 128512

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN2965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2965FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 1529

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1509(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1509(TE85L,F)

חלק מלאי: 191088

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1973(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1973(TE85L,F)

חלק מלאי: 116165

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1702JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1702JE(TE85L,F)

חלק מלאי: 122052

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911(T5L,F,T)

חלק מלאי: 1491

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 139044

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902,LF(CT

חלק מלאי: 115907

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN2906FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 1387

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1962FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 3220

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1602(TE85L,F)

חלק מלאי: 9979

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
RN1964FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1964FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 183026

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות