Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
TPCA8120,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8120,LQ(CM

חלק מלאי: 83086

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 22.5A, 10V,

רשימת משאלות
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 86603

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
TK7P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK7P65W,RQ

חלק מלאי: 118054

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.4A, 10V,

רשימת משאלות
TK5P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P53D(T6RSS-Q)

חלק מלאי: 123262

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 525V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K15AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFU,LF

חלק מלאי: 175836

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
TPN11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11006NL,LQ

חלק מלאי: 101200

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V,

רשימת משאלות
TPH8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R903NL,LQ

חלק מלאי: 115691

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K336R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K336R,LF

חלק מלאי: 142287

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K116TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K116TU,LF

חלק מלאי: 124084

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

רשימת משאלות
TPCP8J01(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8J01(TE85L,F,M

חלק מלאי: 7462

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 32V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות
SSM6K403TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K403TU,LF

חלק מלאי: 160075

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V,

רשימת משאלות
TPN6R303NC,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R303NC,LQ

חלק מלאי: 135173

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K16CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT(TPL3)

חלק מלאי: 100992

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK2P60D(TE16L1,NQ)

חלק מלאי: 165770

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K36FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36FS,LF

חלק מלאי: 126626

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

רשימת משאלות
SSM3J332R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J332R,LF

חלק מלאי: 169586

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH14006NH,L1Q

חלק מלאי: 166914

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 7A, 10V,

רשימת משאלות
SSM6K513NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K513NU,LF

חלק מלאי: 134203

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3J328R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J328R,LF

חלק מלאי: 158450

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 3A, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM6J507NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J507NU,LF

חלק מלאי: 126250

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות
TPH6R004PL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R004PL,LQ

חלק מלאי: 7474

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 87A (Ta), 49A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 24.5A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K7002KFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002KFU,LF

חלק מלאי: 186902

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K376R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K376R,LF

חלק מלאי: 7265

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2A, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3J331R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J331R,LF

חלק מלאי: 7291

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3A, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3K56ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56ACT,L3F

חלק מלאי: 123517

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3K335R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K335R,LF

חלק מלאי: 165419

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות
TPH6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R003NL,LQ

חלק מלאי: 185914

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 19A, 10V,

רשימת משאלות
SSM6J414TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J414TU,LF

חלק מלאי: 168558

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3K361R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K361R,LF

חלק מלאי: 190687

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 2A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35AMFV,L3F

חלק מלאי: 131212

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3K329R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K329R,LF

חלק מלאי: 180365

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 1A, 4V,

רשימת משאלות
SSM6K361NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K361NU,LF

חלק מלאי: 7288

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 2A, 10V,

רשימת משאלות
SSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K217FE,LF

חלק מלאי: 166457

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 1A, 8V,

רשימת משאלות
SSM3K36MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36MFV,L3F

חלק מלאי: 111367

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

רשימת משאלות
TPC6113(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6113(TE85L,F,M)

חלק מלאי: 100371

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3K341R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K341R,LF

חלק מלאי: 103520

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות