Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
TK15S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK15S04N1L,LQ

חלק מלאי: 110924

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 7.5A, 10V,

רשימת משאלות
TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P50D(T6RSS-Q)

חלק מלאי: 127525

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

רשימת משאלות
TPH2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2010FNH,L1Q

חלק מלאי: 117809

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

רשימת משאלות
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110ENH,L1Q

חלק מלאי: 110777

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K35CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35CTC,L3F

חלק מלאי: 122010

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

רשימת משאלות
TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S06K3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 135950

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
TPC8133,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8133,LQ(S

חלק מלאי: 142820

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4.5A, 10V,

רשימת משאלות
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH7R006PL,L1Q

חלק מלאי: 145095

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V,

רשימת משאלות
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK60P03M1,RQ(S

חלק מלאי: 152903

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S06K3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 78944

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K339R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K339R,LF

חלק מלאי: 190791

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

רשימת משאלות
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 105767

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q

חלק מלאי: 113296

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

רשימת משאלות
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R008NH,L1Q

חלק מלאי: 104295

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 17A, 10V,

רשימת משאלות
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK10S04K3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 144152

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 135878

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AMFV,L3F

חלק מלאי: 170532

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P53D(T6RSS-Q)

חלק מלאי: 115497

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 525V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות
TK560P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK560P65Y,RQ

חלק מלאי: 135881

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 135946

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK30S06K3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 128540

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
TK9P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9P65W,RQ

חלק מלאי: 93752

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4.6A, 10V,

רשימת משאלות
TPH1R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R712MD,L1Q

חלק מלאי: 128383

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V,

רשימת משאלות
TPH4R606NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R606NH,L1Q

חלק מלאי: 83323

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V,

רשימת משאלות
TPCA8056-H,LQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8056-H,LQ(M

חלק מלאי: 105511

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 24A, 10V,

רשימת משאלות
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110FNH,L1Q

חלק מלאי: 95924

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S04K3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 78949

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 40A, 10V,

רשימת משאלות
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R005PL,L1Q

חלק מלאי: 82892

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 45V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04 mOhm @ 50A, 10V,

רשימת משאלות
TPN2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2010FNH,L1Q

חלק מלאי: 110042

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

רשימת משאלות
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A50D(STA4,Q,M)

חלק מלאי: 98335

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

חלק מלאי: 144102

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות
TPH4R10ANL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R10ANL,L1Q

חלק מלאי: 7692

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 92A (Ta), 70A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

רשימת משאלות
TK6P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P65W,RQ

חלק מלאי: 129654

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

רשימת משאלות
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ15S06M3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 135951

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.5A, 10V,

רשימת משאלות
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 135921

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

חלק מלאי: 104508

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות