Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
TPCA8010-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12L,Q

חלק מלאי: 6033

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

רשימת משאלות
TPCA8009-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8009-H(TE12L,Q

חלק מלאי: 9563

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות
TPCA8016-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8016-H(TE12LQM

חלק מלאי: 9528

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 13A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3J355R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J355R,LF

חלק מלאי: 128788

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1 mOhm @ 4A, 4.5V,

רשימת משאלות
TPCA8007-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8007-H(TE12L,Q

חלק מלאי: 9600

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SSM6J512NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU,LF

חלק מלאי: 193227

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 4A, 8V,

רשימת משאלות
SSM3K09FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K09FU,LF

חלק מלאי: 126797

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V,

רשימת משאלות
SSM3J134TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J134TU,LF

חלק מלאי: 16272

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
TPN3300ANH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3300ANH,LQ

חלק מלאי: 195443

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.7A, 10V,

רשימת משאלות
TPCF8107,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8107,LF

חלק מלאי: 69123

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J501NU,LF

חלק מלאי: 176891

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3H137TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3H137TU,LF

חלק מלאי: 16238

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 34V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות
TPCA8008-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12L,Q

חלק מלאי: 9581

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K72CFS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CFS,LF

חלק מלאי: 138628

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

רשימת משאלות
SSM3J129TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J129TU(TE85L)

חלק מלאי: 6003

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

רשימת משאלות
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8005-H(TE12LQM

חלק מלאי: 9435

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 13A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K17SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K17SU,LF

חלק מלאי: 5947

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
TPCA8025(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8025(TE12L,Q,M

חלק מלאי: 9392

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
TPCA8021-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8021-H(TE12LQM

חלק מלאי: 9362

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

רשימת משאלות
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8109(TE12L)

חלק מלאי: 9242

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3J108TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J108TU(TE85L)

חלק מלאי: 9444

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 800mA, 4V,

רשימת משאלות
TPCC8002-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8002-H(TE12L,Q

חלק מלאי: 8783

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות
TPN2R304PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R304PL,L1Q

חלק מלאי: 119339

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 40A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K56FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56FS,LF

חלק מלאי: 100620

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

רשימת משאלות
TK31A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31A60W,S4VX

חלק מלאי: 10937

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

רשימת משאלות
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R303NL,L1Q

חלק מלאי: 185384

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
TPHR9003NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL,L1Q

חלק מלאי: 60875

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K15F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15F,LF

חלק מלאי: 25861

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
SSM3K44FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K44FS,LF

חלק מלאי: 25853

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
TK31J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31J60W5,S1VQ

חלק מלאי: 9256

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

רשימת משאלות
TPH6400ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6400ENH,L1Q

חלק מלאי: 101081

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 6.5A, 10V,

רשימת משאלות
TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R80ANH,L1Q

חלק מלאי: 98527

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V,

רשימת משאלות
SSM3K59CTB,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K59CTB,L3F

חלק מלאי: 173472

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1A, 8V,

רשימת משאלות
SSM3J46CTB(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J46CTB(TPL3)

חלק מלאי: 115248

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SSM3K16CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CTC,L3F

חלק מלאי: 21536

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

רשימת משאלות
TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20N60W,S1VF

חלק מלאי: 14097

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות