Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
S3BBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3BBHM4G

חלק מלאי: 118

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
S3BB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3BB M4G

חלק מלאי: 49

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
MUR360SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR360SB M4G

חלק מלאי: 52

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
ES2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GA M2G

חלק מלאי: 127

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
HS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2MA M2G

חלק מלאי: 141

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
HS1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1B M2G

חלק מלאי: 90

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
RS3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3A V7G

חלק מלאי: 49

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
S12MC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12MC V6G

חלק מלאי: 79

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES2JAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2JAHR3G

חלק מלאי: 81

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SS315 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS315 V7G

חלק מלאי: 109

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK515BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK515BHM4G

חלק מלאי: 48

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK33A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK33A R3G

חלק מלאי: 126

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS19HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19HM2G

חלק מלאי: 114

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 90V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 800mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SSL24 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24 R5G

חלק מלאי: 85

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 410mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS115HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115HR3G

חלק מלאי: 56

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
MUR340SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340SB M4G

חלק מלאי: 140

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
HS3KB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3KB M4G

חלק מלאי: 59

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
RS1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DHM2G

חלק מלאי: 47

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
S1GB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GB R5G

חלק מלאי: 62

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
HS5G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V7G

חלק מלאי: 96

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
SK82C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V7G

חלק מלאי: 127

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SSL34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL34 V6G

חלק מלאי: 79

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES2DAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DAHM2G

חלק מלאי: 95

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SS13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13HR3G

חלק מלאי: 119

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
MUR420S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420S V6G

חלק מלאי: 72

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
S2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2KA M2G

חלק מלאי: 68

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1.5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
MUR320S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR320S V6G

חלק מלאי: 81

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
SFF1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1601G C0G

חלק מלאי: 128

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 16A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 975mV @ 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
HS2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2BA M2G

חלק מלאי: 68

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
S1DBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DBHM4G

חלק מלאי: 120

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK54C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK54C V6G

חלק מלאי: 92

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
HS2FA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2FA M2G

חלק מלאי: 134

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
S8KC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S8KC V6G

חלק מלאי: 73

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S5K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5K V6G

חלק מלאי: 74

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
S3KB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3KB M4G

חלק מלאי: 100

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
RS1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BHM2G

חלק מלאי: 129

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות