דיודות - מיישרים - יחיד | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 100

BA158GHR1G

חלק מלאי: 127

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G A0G

חלק מלאי: 95

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHR1G

חלק מלאי: 108

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHA0G

חלק מלאי: 84

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54CW RVG

חלק מלאי: 146

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54W RVG

חלק מלאי: 192

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54SW RVG

חלק מלאי: 145

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54AW RVG

חלק מלאי: 170

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157G B0G

חלק מלאי: 185

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43X RKG

חלק מלאי: 196

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M M2G

חלק מלאי: 148

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 65ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHA0G

חלק מלאי: 180

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHB0G

חלק מלאי: 199

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHB0G

חלק מלאי: 111

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G B0G

חלק מלאי: 191

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G R1G

חלק מלאי: 138

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20J R3G

חלק מלאי: 127

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.4V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G B0G

חלק מלאי: 197

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M R3G

חלק מלאי: 142

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 65ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M M2G

חלק מלאי: 109

סוג דיודה: Avalanche, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.6V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 120ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHR1G

חלק מלאי: 115

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHB0G

חלק מלאי: 109

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHA0G

חלק מלאי: 175

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L0G

חלק מלאי: 251

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L0G

חלק מלאי: 251

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21 A0G

חלק מלאי: 203

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20 A0G

חלק מלאי: 163

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L1G

חלק מלאי: 217

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19 A0G

חלק מלאי: 173

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L1G

חלק מלאי: 215

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21W RVG

חלק מלאי: 171

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21 RFG

חלק מלאי: 263

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS19 RFG

חלק מלאי: 250

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

B0530WF RHG

חלק מלאי: 195

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 500mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 500mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20W RHG

חלק מלאי: 237

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 250V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19W-G RHG

חלק מלאי: 216

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות