Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
HS3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3A V6G

חלק מלאי: 76

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
S10GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S10GC V6G

חלק מלאי: 127

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1D M2G

חלק מלאי: 92

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
ES2FHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHR5G

חלק מלאי: 135

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
ES2BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BHR5G

חלק מלאי: 64

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SFF1008GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1008GAHC0G

חלק מלאי: 55

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
S5MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5MB M4G

חלק מלאי: 75

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1A R3G

חלק מלאי: 132

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
S5B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5B V6G

חלק מלאי: 114

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
RS2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2DA M2G

חלק מלאי: 57

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
S2BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2BHR5G

חלק מלאי: 70

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 2A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SK56BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK56BHR5G

חלק מלאי: 66

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 750mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3D V6G

חלק מלאי: 45

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
ES1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DHM2G

חלק מלאי: 140

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SK110BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK110BHM4G

חלק מלאי: 108

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S2DHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2DHR5G

חלק מלאי: 120

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 2A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
S1GBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GBHR5G

חלק מלאי: 79

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SSL23 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23 M4G

חלק מלאי: 141

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 410mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S3AB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3AB M4G

חלק מלאי: 55

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SFF1601GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1601GHC0G

חלק מלאי: 42

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 16A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 975mV @ 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SK55C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK55C V6G

חלק מלאי: 56

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 750mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V6G

חלק מלאי: 73

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SS12 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12 M2G

חלק מלאי: 129

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S3DBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3DBHR5G

חלק מלאי: 63

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SK520C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK520C V7G

חלק מלאי: 87

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3A V6G

חלק מלאי: 80

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
ES1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JHM2G

חלק מלאי: 54

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
ES3GB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3GB M4G

חלק מלאי: 110

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.13V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
S5D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5D V6G

חלק מלאי: 68

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SFF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1602G C0G

חלק מלאי: 65

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 16A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 975mV @ 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SK315A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK315A M2G

חלק מלאי: 72

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK59B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59B R5G

חלק מלאי: 56

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 90V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS24HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS24HM4G

חלק מלאי: 82

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS2DAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2DAHM2G

חלק מלאי: 118

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
S5KB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5KB M4G

חלק מלאי: 133

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES2AHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2AHR5G

חלק מלאי: 140

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות