Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
ES2FHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHM4G

חלק מלאי: 93

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
HS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2G M4G

חלק מלאי: 106

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHM2G

חלק מלאי: 75

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S3MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3MB M4G

חלק מלאי: 69

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V7G

חלק מלאי: 111

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3G V7G

חלק מלאי: 130

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
SK13B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B M4G

חלק מלאי: 70

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2K M4G

חלק מלאי: 97

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
S12GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V6G

חלק מלאי: 65

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS3M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V6G

חלק מלאי: 56

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
ESH3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V6G

חלק מלאי: 130

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 20ns,

רשימת משאלות
S12JC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V6G

חלק מלאי: 107

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S1AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AB R5G

חלק מלאי: 75

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34 V6G

חלק מלאי: 126

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2A M4G

חלק מלאי: 77

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 2A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V7G

חלק מלאי: 140

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S12JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V7G

חלק מלאי: 89

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 12A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V6G

חלק מלאי: 142

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS320 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS320 V6G

חלק מלאי: 90

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V7G

חלק מלאי: 123

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SS29 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 M4G

חלק מלאי: 57

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 90V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HM4G

חלק מלאי: 115

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KA M2G

חלק מלאי: 105

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
SK59BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHM4G

חלק מלאי: 61

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 90V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MA M2G

חלק מלאי: 130

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
SS22HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22HR5G

חלק מלאי: 112

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ESH2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2B R5G

חלק מלאי: 76

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 20ns,

רשימת משאלות
S1MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHM4G

חלק מלאי: 119

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHR3G

חלק מלאי: 53

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 720mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ESH1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B R3G

חלק מלאי: 144

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 15ns,

רשימת משאלות
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHR3G

חלק מלאי: 102

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
ESH2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA R3G

חלק מלאי: 67

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
SS33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS33 V6G

חלק מלאי: 58

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S4K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4K V6G

חלק מלאי: 87

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23A M2G

חלק מלאי: 111

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK19BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHM4G

חלק מלאי: 128

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 90V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות