Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
MUR360S V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR360S V6G

חלק מלאי: 110

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
SK16B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK16B M4G

חלק מלאי: 72

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 750mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
MUR310S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR310S V7G

חלק מלאי: 104

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
SS35 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS35 V6G

חלק מלאי: 48

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK110B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK110B M4G

חלק מלאי: 111

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES3DV V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DV V6G

חלק מלאי: 130

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 20ns,

רשימת משאלות
HS3M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3M V6G

חלק מלאי: 48

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
HS3F V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3F V7G

חלק מלאי: 87

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
MUR305S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR305S V7G

חלק מלאי: 67

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
S5JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5JB M4G

חלק מלאי: 141

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S3GBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3GBHR5G

חלק מלאי: 88

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
S8GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S8GC V6G

חלק מלאי: 129

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
RS2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2A M4G

חלק מלאי: 90

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
S1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DHR3G

חלק מלאי: 66

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
SK59BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHR5G

חלק מלאי: 138

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 90V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
HS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1M M2G

חלק מלאי: 117

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
SK52BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK52BHM4G

חלק מלאי: 99

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK320A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320A M2G

חלק מלאי: 57

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
HS2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2M M4G

חלק מלאי: 76

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
RS1GHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GHM2G

חלק מלאי: 62

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
SK34BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK34BHR5G

חלק מלאי: 110

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK84C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V6G

חלק מלאי: 131

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SK54B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK54B M4G

חלק מלאי: 65

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES1FHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FHM2G

חלק מלאי: 57

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
S4B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4B V6G

חלק מלאי: 78

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
ES2CAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CAHM2G

חלק מלאי: 52

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
RS2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2JA M2G

חלק מלאי: 66

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות
RS2JAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2JAHM2G

חלק מלאי: 55

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות
S1GB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GB M4G

חלק מלאי: 136

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SSL24HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24HR5G

חלק מלאי: 83

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 410mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS115 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115 M2G

חלק מלאי: 82

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS215HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215HR5G

חלק מלאי: 55

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ESH2CA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2CA R3G

חלק מלאי: 56

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
S2DHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2DHM4G

חלק מלאי: 131

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 2A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 1.5µs,

רשימת משאלות
US1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1G M2G

חלק מלאי: 92

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
HS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2J M4G

חלק מלאי: 50

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות