Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש
MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5134DW1T1G

חלק מלאי: 90827

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5231DW1T1G

חלק מלאי: 137429

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor

EMF5XV6T5G

חלק מלאי: 186407

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 12V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

רשימת משאלות
NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1G

חלק מלאי: 192037

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T1

חלק מלאי: 1432

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TDP6T5G

חלק מלאי: 145523

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 100 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVMUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5135DW1T1G

חלק מלאי: 164885

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NUS2401SNT1
ON Semiconductor

NUS2401SNT1

חלק מלאי: 1477

סוג טרנזיסטור: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms,

רשימת משאלות
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T1G

חלק מלאי: 182836

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDP6T5G

חלק מלאי: 114384

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB144EPDXV6T1G

חלק מלאי: 165773

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T5G

חלק מלאי: 1529

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1

חלק מלאי: 1497

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor

NUS2401SNT1G

חלק מלאי: 172039

סוג טרנזיסטור: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 175 Ohms, 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 175 Ohms, 10 kOhms,

רשימת משאלות
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM11156DW6T1G

חלק מלאי: 3218

סוג טרנזיסטור: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 65V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

רשימת משאלות
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1

חלק מלאי: 1482

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1

חלק מלאי: 3141

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1G

חלק מלאי: 163042

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143EPDP6T5G

חלק מלאי: 123578

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1

חלק מלאי: 1438

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDP6T5G

חלק מלאי: 164714

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T1G

חלק מלאי: 190768

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T5G

חלק מלאי: 134086

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5211DW1T1
ON Semiconductor

MUN5211DW1T1

חלק מלאי: 1438

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC123EPDXV6T1G

חלק מלאי: 1489

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5137DW1T1
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1

חלק מלאי: 1469

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1G

חלק מלאי: 106805

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5336DW1T1G

חלק מלאי: 9982

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 100 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 100 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1

חלק מלאי: 1469

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
SMUN5335DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T1G

חלק מלאי: 189012

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
UMC2NT1
ON Semiconductor

UMC2NT1

חלק מלאי: 1476

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T1

חלק מלאי: 1420

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC4DXV5T1G

חלק מלאי: 149530

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMD4DXV6T1G
ON Semiconductor

EMD4DXV6T1G

חלק מלאי: 138481

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T5

חלק מלאי: 1490

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143TPDXV6T1G

חלק מלאי: 190887

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות