Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSVTB60BDW1T1G

חלק מלאי: 121402

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1G

חלק מלאי: 1427

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5311DW1T1
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1

חלק מלאי: 1405

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1

חלק מלאי: 1502

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1

חלק מלאי: 1447

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T3G

חלק מלאי: 194732

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1G

חלק מלאי: 119881

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5215DW1T1G

חלק מלאי: 125619

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5313DW1T1
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1

חלק מלאי: 1441

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5115DW1T1G

חלק מלאי: 191265

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC123JPDXV6T1G

חלק מלאי: 170675

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1

חלק מלאי: 1631

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144WDXV6T1G

חלק מלאי: 196284

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5233DW1T1
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1

חלק מלאי: 1457

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1G

חלק מלאי: 71232

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVEMD4DXV6T5G

חלק מלאי: 115919

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T1

חלק מלאי: 1489

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1G

חלק מלאי: 1466

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EDXV6T1

חלק מלאי: 1446

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143EDP6T5G

חלק מלאי: 184541

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T1G

חלק מלאי: 119356

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T5G

חלק מלאי: 160922

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T1G

חלק מלאי: 167806

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1

חלק מלאי: 3201

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5215DW1T1G

חלק מלאי: 136906

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
IMH20TR1
ON Semiconductor

IMH20TR1

חלק מלאי: 1463

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 600mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

רשימת משאלות
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5

חלק מלאי: 5401

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5131DW1T1G

חלק מלאי: 122560

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1

חלק מלאי: 3203

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1G

חלק מלאי: 171080

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDP6T5G

חלק מלאי: 133800

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5231DW1T1G

חלק מלאי: 74853

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1G

חלק מלאי: 1524

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T5G

חלק מלאי: 167892

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDP6T5G

חלק מלאי: 165090

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5236DW1T1
ON Semiconductor

MUN5236DW1T1

חלק מלאי: 1402

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 100 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 100 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות