מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
