Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5331DW1T1G

חלק מלאי: 1460

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1

חלק מלאי: 1467

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JDP6T5G

חלק מלאי: 161656

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1

חלק מלאי: 1530

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor

MUN5333DW1T1

חלק מלאי: 1513

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC144EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EDXV6T1G

חלק מלאי: 157107

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5235DW1T1
ON Semiconductor

MUN5235DW1T1

חלק מלאי: 1487

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123TPDP6T5G

חלק מלאי: 144483

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T3G

חלק מלאי: 114310

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1G

חלק מלאי: 183961

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1G

חלק מלאי: 115589

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor

EMD5DXV6T1

חלק מלאי: 1409

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1

חלק מלאי: 1419

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1G

חלק מלאי: 180737

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1

חלק מלאי: 1420

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor

NSTB1002DXV5T1

חלק מלאי: 1514

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 40V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5234DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5234DW1T1G

חלק מלאי: 1437

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1G

חלק מלאי: 25827

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDP6T5G

חלק מלאי: 106367

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124XDXV6T1

חלק מלאי: 1489

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T2G

חלק מלאי: 105116

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1G

חלק מלאי: 142403

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1

חלק מלאי: 1515

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5233DW1T1G

חלק מלאי: 139425

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
SMUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T1G

חלק מלאי: 106685

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T5G

חלק מלאי: 126380

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1G

חלק מלאי: 3146

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA115EDXV6T1G

חלק מלאי: 107413

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 100 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 100 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T1G

חלק מלאי: 104326

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5

חלק מלאי: 1473

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDP6T5G

חלק מלאי: 129909

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5G

חלק מלאי: 1467

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1

חלק מלאי: 1456

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5330DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5330DW1T1G

חלק מלאי: 161630

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EPDP6T5G

חלק מלאי: 172427

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות
MUN5135DW1T1
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1

חלק מלאי: 1492

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות