טרנזיסטורים - FET, MOSFET - מערכים | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 7

APTM10TAM19FPG

חלק מלאי: 905

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

חלק מלאי: 622

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

חלק מלאי: 814

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

חלק מלאי: 825

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

חלק מלאי: 874

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 89A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

חלק מלאי: 1737

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

חלק מלאי: 517

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

חלק מלאי: 121

סוג FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 219A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

חלק מלאי: 485

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 372A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

חלק מלאי: 202

סוג FET: 2 N Channel (Phase Leg), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

חלק מלאי: 341

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 116A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

חלק מלאי: 772

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

חלק מלאי: 1322

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

חלק מלאי: 81

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

חלק מלאי: 2039

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

חלק מלאי: 808

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

חלק מלאי: 635

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

חלק מלאי: 726

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

חלק מלאי: 866

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

חלק מלאי: 400

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 495A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

חלק מלאי: 1457

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

חלק מלאי: 1133

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

חלק מלאי: 485

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 45A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

חלק מלאי: 1289

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

חלק מלאי: 748

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

חלק מלאי: 856

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

חלק מלאי: 162

סוג FET: 2 N Channel (Phase Leg), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 295A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

חלק מלאי: 2258

סוג FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

חלק מלאי: 1478

סוג FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

חלק מלאי: 558

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

חלק מלאי: 1267

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

חלק מלאי: 1093

סוג FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

חלק מלאי: 1492

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

חלק מלאי: 809

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

חלק מלאי: 757

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Super Junction, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

רשימת משאלות

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

חלק מלאי: 379

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

רשימת משאלות