סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 43A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 21A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 68A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,
סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 56A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 42A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,
סוג FET: 4 N-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
סוג FET: 4 P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 750mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,