טרנזיסטורים - FET, MOSFET - מערכים

APTM50DUM25TG

APTM50DUM25TG

חלק מלאי: 2781

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

APTM50DUM35TG

APTM50DUM35TG

חלק מלאי: 2820

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

APTM50DUM19G

APTM50DUM19G

חלק מלאי: 2832

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 163A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

APTM50DUM17G

APTM50DUM17G

חלק מלאי: 2758

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

APTM50DSKM65T3G

APTM50DSKM65T3G

חלק מלאי: 3279

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM75TG

APTM50DHM75TG

חלק מלאי: 2739

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DSK10T3G

APTM50DSK10T3G

חלק מלאי: 2805

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

APTM50DHM65TG

APTM50DHM65TG

חלק מלאי: 3354

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50AM25FTG

APTM50AM25FTG

חלק מלאי: 2755

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

APTM50AM70FT1G

APTM50AM70FT1G

חלק מלאי: 2771

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50A15FT1G

APTM50A15FT1G

חלק מלאי: 2761

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

APTM50AM19STG

APTM50AM19STG

חלק מלאי: 2747

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

APTM20DUM10TG

APTM20DUM10TG

חלק מלאי: 2803

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

APTM20TDUM16PG

APTM20TDUM16PG

חלק מלאי: 2825

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20DUM05TG

APTM20DUM05TG

חלק מלאי: 2827

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

APTM20DHM10G

APTM20DHM10G

חלק מלאי: 2785

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

APTM20DHM16TG

APTM20DHM16TG

חלק מלאי: 2733

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM20DHM08G

APTM20DHM08G

חלק מלאי: 2824

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

APTM20AM05FTG

APTM20AM05FTG

חלק מלאי: 2762

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

APTM120TDU57PG

APTM120TDU57PG

חלק מלאי: 2732

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

חלק מלאי: 2766

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

חלק מלאי: 2792

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

חלק מלאי: 2791

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

חלק מלאי: 2744

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

חלק מלאי: 2827

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

חלק מלאי: 2750

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10TDUM19PG

APTM10TDUM19PG

חלק מלאי: 2820

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

APTM10TDUM09PG

APTM10TDUM09PG

חלק מלאי: 2746

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM10HM09FTG

APTM10HM09FTG

חלק מלאי: 2809

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM10DUM05TG

APTM10DUM05TG

חלק מלאי: 2783

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 278A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

APTM10DHM09TG

APTM10DHM09TG

חלק מלאי: 2789

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM10DDAM19T3G

APTM10DDAM19T3G

חלק מלאי: 2824

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

חלק מלאי: 2796

סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G

חלק מלאי: 2768

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

חלק מלאי: 2758

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

חלק מלאי: 2809

סוג FET: 4 N-Channel (H-Bridge), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 1000V (1kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,