| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Active |
|---|---|
| סוג FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| תכונת FET | Silicon Carbide (SiC) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 219A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 150A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 30mA (Typ) |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 483nC @ 20V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 8400pF @ 1000V |
| כוח - מקסימום | 925W |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Chassis Mount |
| חבילה / מארז | SP6 |
| חבילת מכשירי ספק | SP6 |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
