| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Active |
|---|---|
| סוג FET | 4 N-Channel |
| תכונת FET | Silicon Carbide (SiC) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 147A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 332nC @ 5V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
| כוח - מקסימום | 750W |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Chassis Mount |
| חבילה / מארז | Module |
| חבילת מכשירי ספק | SP3 |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
