חלק מלאי: 413
סוג FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 29.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ),