דיודות - מיישרים - יחיד

C3D04060F

חלק מלאי: 37807

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 6A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 4A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C4D05120E-TR

חלק מלאי: 20880

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 19A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 5A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C4D10120E-TR

חלק מלאי: 10448

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 33A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 10A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D06060G-TR

חלק מלאי: 40422

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 19A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 6A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io),

C3D02065E-TR

חלק מלאי: 114886

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D08060G-TR

חלק מלאי: 30363

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 24A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 6A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D03065E-TR

חלק מלאי: 76100

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 11A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D02060E-TR

חלק מלאי: 122143

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D10060G-TR

חלק מלאי: 24327

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 29A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D04065E-TR

חלק מלאי: 57453

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 13.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 4A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D03060E-TR

חלק מלאי: 80343

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 11A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C4D08120E-TR

חלק מלאי: 13953

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 24.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 8A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D04060E-TR

חלק מלאי: 60464

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 13.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

E4D20120A

חלק מלאי: 634

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 54.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 20A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

CPW3-1700-S025B-WP

חלק מלאי: 1137

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1700V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 25A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2V @ 25A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C2D05120A

חלק מלאי: 9158

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 17.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 5A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C4D15120H

חלק מלאי: 501

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 39A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 15A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

CPW3-1700-S010B-WP

חלק מלאי: 3535

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1700V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2V @ 10A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C4D08120A

חלק מלאי: 8738

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 24.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 7.5A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C4D20120H

חלק מלאי: 3141

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 54A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 20A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C4D10120H

חלק מלאי: 3213

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 31.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 10A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D25170H

חלק מלאי: 1223

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1700V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 26.3A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.5V @ 25A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

CVFD20065A

חלק מלאי: 7144

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 57A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.45V @ 20A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C4D15120A

חלק מלאי: 4355

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 43.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 15A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D03060A

חלק מלאי: 50190

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 11A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 3A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D16065A

חלק מלאי: 9050

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 39A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 16A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C2D05120E-TR

חלק מלאי: 14702

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 17.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 5A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D04065A

חלק מלאי: 35635

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 13.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 4A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D12065A

חלק מלאי: 11857

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 35A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 12A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D06065A

חלק מלאי: 23636

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 19A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 6A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D08065I

חלק מלאי: 17098

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 16.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 8A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D08065A

חלק מלאי: 17783

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 24A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 8A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C2D05120E

חלק מלאי: 9200

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 17.5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 5A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D10170H

חלק מלאי: 3661

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1700V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 14.4A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2V @ 10A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

C3D10065A

חלק מלאי: 14272

סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 30A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 10A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,

CPW2-1200-S010B-SK

חלק מלאי: 1446