| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Active |
|---|---|
| סוג FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| תכונת FET | Silicon Carbide (SiC) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 325A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 225A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 15mA (Typ) |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 1076nC @ 20V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 20000pF @ 1000V |
| כוח - מקסימום | 1760W |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Chassis Mount |
| חבילה / מארז | Module |
| חבילת מכשירי ספק | Module |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
