מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
מרחק חישה: 0.110" (2.8mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
מרחק חישה: 0.122" (3.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
מרחק חישה: 3.1mm, שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500µA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
מרחק חישה: 3.1mm, שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 4mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.122" (3.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.122" (3.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.106" (2.7mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.122" (3.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 15mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
מרחק חישה: 0.122" (3.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 4mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,
