| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Active |
|---|---|
| מרחק חישה | 0.122" (3.1mm) |
| שיטת חישה | Transmissive |
| תצורת פלט | Phototransistor |
| זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום) | 60mA |
| זרם - אספן (Ic) (מקסימום) | 4mA |
| מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום) | 70V |
| זמן תגובה | 10µs, 8µs |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 85°C |
| סוג הרכבה | Through Hole |
| חבילה / מארז | Slotted Module, 4-Lead Dual Row |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
