מרחק חישה: 0.157" (4mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 32V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.02" (0.5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.591" (15mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 32V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.157" (4mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 32V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.591" (15mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, סוג פלט: Phototransistor,