Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

חלק מלאי: 155661

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

חלק מלאי: 100168

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

חלק מלאי: 117289

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

חלק מלאי: 155823

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

חלק מלאי: 171

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Common Base, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

חלק מלאי: 167274

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN4C06J-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

חלק מלאי: 141983

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

חלק מלאי: 156520

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

חלק מלאי: 4654

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

חלק מלאי: 124479

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

חלק מלאי: 4497

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

חלק מלאי: 4567

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1C01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

חלק מלאי: 178604

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

חלק מלאי: 149134

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, 700mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

רשימת משאלות
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

חלק מלאי: 133632

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

חלק מלאי: 4470

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

חלק מלאי: 4484

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
TPCP8701(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

חלק מלאי: 131

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 80V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

רשימת משאלות
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

חלק מלאי: 4503

סוג טרנזיסטור: 7 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50µA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

רשימת משאלות
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

חלק מלאי: 154422

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

חלק מלאי: 4508

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

חלק מלאי: 175513

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות