Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

חלק מלאי: 152609

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

חלק מלאי: 98

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

חלק מלאי: 124

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

חלק מלאי: 114931

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

חלק מלאי: 137653

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

חלק מלאי: 153875

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

חלק מלאי: 9987

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

חלק מלאי: 115889

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

חלק מלאי: 4365

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

חלק מלאי: 167758

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

חלק מלאי: 115887

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 300mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

רשימת משאלות
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

חלק מלאי: 179411

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

חלק מלאי: 4432

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

חלק מלאי: 124168

סוג טרנזיסטור: 7 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50µA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

רשימת משאלות
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

חלק מלאי: 104094

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

חלק מלאי: 147055

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

רשימת משאלות
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

חלק מלאי: 104803

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

חלק מלאי: 104

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

רשימת משאלות
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

חלק מלאי: 184759

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

חלק מלאי: 4437

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

חלק מלאי: 4500

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

חלק מלאי: 4488

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

חלק מלאי: 184335

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

חלק מלאי: 4476

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

חלק מלאי: 4401

סוג טרנזיסטור: 7 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50µA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

רשימת משאלות
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

חלק מלאי: 6508

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

חלק מלאי: 151500

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

חלק מלאי: 4471

סוג טרנזיסטור: 8 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

רשימת משאלות
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

חלק מלאי: 9945

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 300mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

רשימת משאלות
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

חלק מלאי: 111105

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

חלק מלאי: 4492

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

רשימת משאלות
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

חלק מלאי: 4430

סוג טרנזיסטור: 7 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50µA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

רשימת משאלות
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

חלק מלאי: 76

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

רשימת משאלות
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

חלק מלאי: 4464

סוג טרנזיסטור: 8 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

רשימת משאלות
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

חלק מלאי: 4503

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

חלק מלאי: 9904

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

רשימת משאלות