Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
SISS40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

חלק מלאי: 132140

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 36.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

חלק מלאי: 153441

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

חלק מלאי: 176128

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

רשימת משאלות
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

חלק מלאי: 133640

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

רשימת משאלות
SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

חלק מלאי: 46133

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SUD50N04-8M8P-4GE3
Vishay Siliconix

SUD50N04-8M8P-4GE3

חלק מלאי: 180869

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

חלק מלאי: 136708

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SI3483CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3483CDV-T1-E3

חלק מלאי: 163997

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

רשימת משאלות
SI4116DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

חלק מלאי: 132173

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SISS70DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

חלק מלאי: 7742

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 125V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 31A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

רשימת משאלות
SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

חלק מלאי: 7752

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

רשימת משאלות
SI4168DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4168DY-T1-GE3

חלק מלאי: 139862

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS476DN-T1-GE3

חלק מלאי: 139920

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2312BDS-T1-E3

חלק מלאי: 129611

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SIJ478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ478DP-T1-GE3

חלק מלאי: 100614

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

חלק מלאי: 7505

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

רשימת משאלות
SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

חלק מלאי: 154242

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות
SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR414DP-T1-GE3

חלק מלאי: 93996

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SQ4080EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

חלק מלאי: 136730

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU7N60E-GE3

חלק מלאי: 83621

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות
SI3430DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

חלק מלאי: 180804

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

רשימת משאלות
SQ4435EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

חלק מלאי: 7729

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

רשימת משאלות
SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

חלק מלאי: 118930

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SQJ858EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

חלק מלאי: 7678

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות
SIR820DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

חלק מלאי: 7711

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SQD100N02-3M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

חלק מלאי: 7693

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
SQJA94EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

חלק מלאי: 165168

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

חלק מלאי: 180858

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

רשימת משאלות
SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

חלק מלאי: 7705

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות
SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

חלק מלאי: 115885

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 46.5A(Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ840EP-T1_GE3

חלק מלאי: 101267

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

רשימת משאלות
SQ4153EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

חלק מלאי: 7793

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI4630DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

חלק מלאי: 99320

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

חלק מלאי: 7640

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 32.3A (Ta), 109A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7686DP-T1-GE3

חלק מלאי: 96713

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

רשימת משאלות
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

חלק מלאי: 5838

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

רשימת משאלות