טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 100

SIA441DJ-T1-GE3

חלק מלאי: 111388

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4.4A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQM40N15-38_GE3

חלק מלאי: 50212

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHP18N60E-GE3

חלק מלאי: 8094

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202 mOhm @ 9A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQJQ410EL-T1_GE3

חלק מלאי: 54803

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIR870ADP-T1-RE3

חלק מלאי: 7921

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQM50P08-25L_GE3

חלק מלאי: 8060

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI7898DP-T1-E3

חלק מלאי: 89672

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQM100N04-2M7_GE3

חלק מלאי: 54046

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI7625DN-T1-GE3

חלק מלאי: 146833

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHP7N60E-E3

חלק מלאי: 68110

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI2307CDS-T1-GE3

חלק מלאי: 169805

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI4840BDY-T1-E3

חלק מלאי: 113559

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.4A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQM40061EL_GE3

חלק מלאי: 5795

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI9435BDY-T1-E3

חלק מלאי: 156461

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIR871DP-T1-GE3

חלק מלאי: 7949

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SUM60030E-GE3

חלק מלאי: 40410

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIE882DF-T1-GE3

חלק מלאי: 60960

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SUD19N20-90-E3

חלק מלאי: 55792

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQP50P03-07_GE3

חלק מלאי: 5858

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI1050X-T1-GE3

חלק מלאי: 176985

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 8V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.34A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIR872DP-T1-GE3

חלק מלאי: 53485

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 53.7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIR440DP-T1-GE3

חלק מלאי: 75878

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI7788DP-T1-GE3

חלק מלאי: 53122

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-E3

חלק מלאי: 80879

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI4626ADY-T1-E3

חלק מלאי: 70488

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQM200N04-1M8_GE3

חלק מלאי: 5861

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHF7N60E-GE3

חלק מלאי: 7919

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI2325DS-T1-E3

חלק מלאי: 163982

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 530mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIR688DP-T1-GE3

חלק מלאי: 76252

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHA12N50E-E3

חלק מלאי: 35246

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI4434ADY-T1-GE3

חלק מלאי: 7910

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHJ6N65E-T1-GE3

חלק מלאי: 71835

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 868 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQM50P06-15L_GE3

חלק מלאי: 8070

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 17A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQM25N15-52_GE3

חלק מלאי: 8048

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHP6N65E-GE3

חלק מלאי: 5867

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIR872ADP-T1-RE3

חלק מלאי: 7954

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 53.7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות