Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
SIS782DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS782DN-T1-GE3

חלק מלאי: 9904

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIA850DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

חלק מלאי: 1464

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 190V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 950mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V,

רשימת משאלות
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR626DP-T1-GE3

חלק מלאי: 9959

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 42.8A (Ta), 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI3407DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3407DV-T1-GE3

חלק מלאי: 142996

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
IRFRC20TRRPBF
Vishay Siliconix

IRFRC20TRRPBF

חלק מלאי: 84916

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

רשימת משאלות
IRLZ34PBF
Vishay Siliconix

IRLZ34PBF

חלק מלאי: 42900

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

רשימת משאלות
SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR668DP-T1-GE3

חלק מלאי: 9965

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 23.2A (Ta), 95A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SIHU6N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU6N80E-GE3

חלק מלאי: 9998

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR010PBF
Vishay Siliconix

IRFR010PBF

חלק מלאי: 112442

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

רשימת משאלות
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE876DF-T1-GE3

חלק מלאי: 1473

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SQ3419EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3419EEV-T1-GE3

חלק מלאי: 1244

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V,

רשימת משאלות
SQS484EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS484EN-T1_GE3

חלק מלאי: 191306

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.4A, 10V,

רשימת משאלות
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA432DJ-T1-GE3

חלק מלאי: 148604

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V,

רשימת משאלות
IRFZ34PBF
Vishay Siliconix

IRFZ34PBF

חלק מלאי: 44152

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,

רשימת משאלות
SI2337DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2337DS-T1-GE3

חלק מלאי: 163989

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V,

רשימת משאלות
SQ3442EV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3442EV-T1-GE3

חלק מלאי: 1221

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

רשימת משאלות
SIHA25N60EFL-E3
Vishay Siliconix

SIHA25N60EFL-E3

חלק מלאי: 14046

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

רשימת משאלות
SI7772DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7772DP-T1-GE3

חלק מלאי: 194051

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA26DN-T1-GE3

חלק מלאי: 9988

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI4410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4410BDY-T1-E3

חלק מלאי: 144634

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
IRFU9120PBF
Vishay Siliconix

IRFU9120PBF

חלק מלאי: 43383

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR420TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR420TRLPBF

חלק מלאי: 93110

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

רשימת משאלות
SI7738DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-E3

חלק מלאי: 43974

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

רשימת משאלות
SI8416DB-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI8416DB-T1-GE3

חלק מלאי: 6167

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 8V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SQ7415AEN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ7415AEN-T1_GE3

חלק מלאי: 142943

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

רשימת משאלות
SQS420EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS420EN-T1_GE3

חלק מלאי: 191334

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI1406DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-E3

חלק מלאי: 1472

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

רשימת משאלות
IRF9520PBF
Vishay Siliconix

IRF9520PBF

חלק מלאי: 72559

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

רשימת משאלות
SI2319DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2319DS-T1-GE3

חלק מלאי: 164425

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות
SI7892BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7892BDP-T1-GE3

חלק מלאי: 104599

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR024TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR024TRLPBF

חלק מלאי: 91025

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR214TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR214TRLPBF

חלק מלאי: 113500

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

רשימת משאלות
SIR698DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR698DP-T1-GE3

חלק מלאי: 125808

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V,

רשימת משאלות
SI7464DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-GE3

חלק מלאי: 80856

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V,

רשימת משאלות
SQ3418EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3418EV-T1_GE3

חלק מלאי: 9903

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
SIS456DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS456DN-T1-GE3

חלק מלאי: 164051

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות