Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
IRFI540GPBF
Vishay Siliconix

IRFI540GPBF

חלק מלאי: 25306

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SI8805EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8805EDB-T2-E1

חלק מלאי: 116920

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 8V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI1414DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1414DH-T1-GE3

חלק מלאי: 105432

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4A, 4.5V,

רשימת משאלות
IRLU110PBF
Vishay Siliconix

IRLU110PBF

חלק מלאי: 44175

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

רשימת משאלות
SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ480E-T1_GE3

חלק מלאי: 54836

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SUP50N10-21P-GE3
Vishay Siliconix

SUP50N10-21P-GE3

חלק מלאי: 40477

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SQD07N25-350H_GE3
Vishay Siliconix

SQD07N25-350H_GE3

חלק מלאי: 8682

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR214TRPBF
Vishay Siliconix

IRFR214TRPBF

חלק מלאי: 113516

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

רשימת משאלות
IRFU9014PBF
Vishay Siliconix

IRFU9014PBF

חלק מלאי: 49898

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

רשימת משאלות
VQ1004P
Vishay Siliconix

VQ1004P

חלק מלאי: 1763

מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V,

רשימת משאלות
SQD23N06-31L_GE3
Vishay Siliconix

SQD23N06-31L_GE3

חלק מלאי: 97850

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
IRFU110PBF
Vishay Siliconix

IRFU110PBF

חלק מלאי: 75528

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

רשימת משאלות
IRF644PBF
Vishay Siliconix

IRF644PBF

חלק מלאי: 48209

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,

רשימת משאלות
SIR644DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR644DP-T1-GE3

חלק מלאי: 121512

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
IRF9640PBF
Vishay Siliconix

IRF9640PBF

חלק מלאי: 40692

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

רשימת משאלות
SI1315DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1315DL-T1-GE3

חלק מלאי: 176998

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 8V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 900mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336 mOhm @ 800mA, 4.5V,

רשימת משאלות
IRFR9014TRPBF
Vishay Siliconix

IRFR9014TRPBF

חלק מלאי: 149247

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

רשימת משאלות
SUP53P06-20-GE3
Vishay Siliconix

SUP53P06-20-GE3

חלק מלאי: 1777

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 53A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
VP0808B-2
Vishay Siliconix

VP0808B-2

חלק מלאי: 1858

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 880mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות
IRFD9123
Vishay Siliconix

IRFD9123

חלק מלאי: 1797

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

רשימת משאלות
IRFR430ATRPBF
Vishay Siliconix

IRFR430ATRPBF

חלק מלאי: 80238

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות
VP0808B-E3
Vishay Siliconix

VP0808B-E3

חלק מלאי: 1809

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 880mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות
SQD30N05-20L_GE3
Vishay Siliconix

SQD30N05-20L_GE3

חלק מלאי: 110170

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SQD97N06-6M3L_GE3
Vishay Siliconix

SQD97N06-6M3L_GE3

חלק מלאי: 97635

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR9020TRPBF
Vishay Siliconix

IRFR9020TRPBF

חלק מלאי: 105921

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR9120PBF
Vishay Siliconix

IRFR9120PBF

חלק מלאי: 66670

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

רשימת משאלות
SUD42N03-3M9P-GE3
Vishay Siliconix

SUD42N03-3M9P-GE3

חלק מלאי: 1783

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 22A, 10V,

רשימת משאלות
IRFP26N60L
Vishay Siliconix

IRFP26N60L

חלק מלאי: 1825

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 16A, 10V,

רשימת משאלות
SIJH440E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJH440E-T1-GE3

חלק מלאי: 57409

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
IRLIZ34GPBF
Vishay Siliconix

IRLIZ34GPBF

חלק מלאי: 25084

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 12A, 5V,

רשימת משאלות
IRF9510SPBF
Vishay Siliconix

IRF9510SPBF

חלק מלאי: 32554

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

רשימת משאלות
SIR482DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR482DP-T1-GE3

חלק מלאי: 1852

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
IRLZ24PBF
Vishay Siliconix

IRLZ24PBF

חלק מלאי: 54654

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

רשימת משאלות
IRFR9024TRPBF
Vishay Siliconix

IRFR9024TRPBF

חלק מלאי: 180875

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

רשימת משאלות
SI4038DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4038DY-T1-GE3

חלק מלאי: 1778

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 42.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
VP0808B
Vishay Siliconix

VP0808B

חלק מלאי: 1769

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 880mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות