Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - רווק

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - רווק
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

חלק מלאי: 6969

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

חלק מלאי: 7016

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

חלק מלאי: 6976

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

חלק מלאי: 6938

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

חלק מלאי: 6937

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

חלק מלאי: 6975

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

חלק מלאי: 6952

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

חלק מלאי: 7006

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

חלק מלאי: 6949

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA949-Y(JVC1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

חלק מלאי: 6969

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1972,T6WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

חלק מלאי: 5673

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 400V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1972,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

חלק מלאי: 6973

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 400V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1931,SINFQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

חלק מלאי: 7026

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

חלק מלאי: 6986

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

חלק מלאי: 6951

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931,NSEIKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

חלק מלאי: 6948

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

חלק מלאי: 6957

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

חלק מלאי: 6946

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

חלק מלאי: 6957

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

חלק מלאי: 6765

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

חלק מלאי: 6941

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

רשימת משאלות
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

חלק מלאי: 7022

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 180V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 5µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

חלק מלאי: 6775

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 180V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 5µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

חלק מלאי: 6939

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 180V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 5µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

חלק מלאי: 7019

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 180V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 5µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

חלק מלאי: 6989

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 180V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 5µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

חלק מלאי: 6940

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 180V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 5µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

חלק מלאי: 7005

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

רשימת משאלות
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

חלק מלאי: 6727

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

רשימת משאלות
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

חלק מלאי: 7004

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

רשימת משאלות
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

חלק מלאי: 6990

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

רשימת משאלות
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

חלק מלאי: 6947

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

חלק מלאי: 6752

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

חלק מלאי: 6966

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

חלק מלאי: 6942

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

חלק מלאי: 6984

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות