Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש
UMH6NTR
Rohm Semiconductor

UMH6NTR

חלק מלאי: 126310

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
EMB11FHAT2R
Rohm Semiconductor

EMB11FHAT2R

חלק מלאי: 21610

סוג טרנזיסטור: 2 PNP Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMH14NTR
Rohm Semiconductor

UMH14NTR

חלק מלאי: 164095

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות
EMF24T2R
Rohm Semiconductor

EMF24T2R

חלק מלאי: 120332

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

רשימת משאלות
IMH1AT110
Rohm Semiconductor

IMH1AT110

חלק מלאי: 134484

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMB9NTN
Rohm Semiconductor

UMB9NTN

חלק מלאי: 166683

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
FMC3AT148
Rohm Semiconductor

FMC3AT148

חלק מלאי: 100804

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMB1NTN
Rohm Semiconductor

UMB1NTN

חלק מלאי: 179097

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMF5NTR
Rohm Semiconductor

UMF5NTR

חלק מלאי: 165147

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 12V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

רשימת משאלות
IMD16AT108
Rohm Semiconductor

IMD16AT108

חלק מלאי: 131676

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 100 kOhms, 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V,

רשימת משאלות
IMD10AT108
Rohm Semiconductor

IMD10AT108

חלק מלאי: 169443

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, 100 Ohms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
UMB8NTR
Rohm Semiconductor

UMB8NTR

חלק מלאי: 142777

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות
IMH5AT108
Rohm Semiconductor

IMH5AT108

חלק מלאי: 102684

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMG8NTR
Rohm Semiconductor

UMG8NTR

חלק מלאי: 155757

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
EMB2T2R
Rohm Semiconductor

EMB2T2R

חלק מלאי: 155232

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMF21NTR
Rohm Semiconductor

UMF21NTR

חלק מלאי: 181499

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 12V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

רשימת משאלות
IMD14T108
Rohm Semiconductor

IMD14T108

חלק מלאי: 107296

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 220 Ohms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
IMD1AT108
Rohm Semiconductor

IMD1AT108

חלק מלאי: 144421

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות
EMF21T2R
Rohm Semiconductor

EMF21T2R

חלק מלאי: 179260

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 12V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

רשימת משאלות
EMF22T2R
Rohm Semiconductor

EMF22T2R

חלק מלאי: 1487

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 12V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

רשימת משאלות
EMH9FHAT2R
Rohm Semiconductor

EMH9FHAT2R

חלק מלאי: 21662

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
FMG9AT248
Rohm Semiconductor

FMG9AT248

חלק מלאי: 1454

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMC5NTR
Rohm Semiconductor

UMC5NTR

חלק מלאי: 188440

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
EMH9T2R
Rohm Semiconductor

EMH9T2R

חלק מלאי: 199722

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMB6NTR
Rohm Semiconductor

UMB6NTR

חלק מלאי: 185942

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMG9NTR
Rohm Semiconductor

UMG9NTR

חלק מלאי: 117666

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
EMA11T2R
Rohm Semiconductor

EMA11T2R

חלק מלאי: 175669

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
UMD3NTR
Rohm Semiconductor

UMD3NTR

חלק מלאי: 185071

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMH9NTN
Rohm Semiconductor

UMH9NTN

חלק מלאי: 156300

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMD5NTR
Rohm Semiconductor

UMD5NTR

חלק מלאי: 173235

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
EMG8T2R
Rohm Semiconductor

EMG8T2R

חלק מלאי: 168622

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

רשימת משאלות
IMH8AT108
Rohm Semiconductor

IMH8AT108

חלק מלאי: 120428

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות
IMH6AT108
Rohm Semiconductor

IMH6AT108

חלק מלאי: 151699

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
UMC2NTR
Rohm Semiconductor

UMC2NTR

חלק מלאי: 107395

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

רשימת משאלות
EMF17T2R
Rohm Semiconductor

EMF17T2R

חלק מלאי: 126849

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

רשימת משאלות
EMH15T2R
Rohm Semiconductor

EMH15T2R

חלק מלאי: 102823

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

רשימת משאלות