טרנזיסטורים - FET, MOSFET - מערכים

BSM180D12P3C007

BSM180D12P3C007

חלק מלאי: 168

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA,

BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001

חלק מלאי: 201

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 68mA,

BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008

חלק מלאי: 263

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA,

BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005

חלק מלאי: 258

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA,

BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

חלק מלאי: 243

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Silicon Carbide (SiC), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V (1.2kV), זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 204A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA,

VT6J1T2CR

VT6J1T2CR

חלק מלאי: 168368

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

EM6K31T2R

EM6K31T2R

חלק מלאי: 181152

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

EM6K31GT2R

EM6K31GT2R

חלק מלאי: 153168

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

חלק מלאי: 125142

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

EM6J1T2R

EM6J1T2R

חלק מלאי: 109230

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

TT8J13TCR

TT8J13TCR

חלק מלאי: 181566

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

US6J11TR

US6J11TR

חלק מלאי: 145887

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

TT8J11TCR

TT8J11TCR

חלק מלאי: 175857

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

SP8M24FRATB

SP8M24FRATB

חלק מלאי: 109

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 45V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, 63 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M51FRATB

SP8M51FRATB

חלק מלאי: 152

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8M3TR

TT8M3TR

חלק מלאי: 154779

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A, 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

HP8KA1TB

HP8KA1TB

חלק מלאי: 113065

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA,

SP8K22FRATB

SP8K22FRATB

חלק מלאי: 87

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 45V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8K33FRATB

SP8K33FRATB

חלק מלאי: 149

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8K1TR

TT8K1TR

חלק מלאי: 171251

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

TT8K11TCR

TT8K11TCR

חלק מלאי: 195555

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 4V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A,

SP8K52FRATB

SP8K52FRATB

חלק מלאי: 115

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8J3TR

TT8J3TR

חלק מלאי: 193760

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8K32FRATB

SP8K32FRATB

חלק מלאי: 80

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

HP8S36TB

HP8S36TB

חלק מלאי: 130641

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A, 80A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

US6K1TR

US6K1TR

חלק מלאי: 126806

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

US6M2GTR

US6M2GTR

חלק מלאי: 127

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

HS8K11TB

HS8K11TB

חלק מלאי: 188805

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A, 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8K2TR

TT8K2TR

חלק מלאי: 164928

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

TT8M2TR

TT8M2TR

חלק מלאי: 126279

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

SP8M5FRATB

SP8M5FRATB

חלק מלאי: 154

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M6FRATB

SP8M6FRATB

חלק מלאי: 153

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M21FRATB

SP8M21FRATB

חלק מלאי: 70

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 45V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8K24FRATB

SP8K24FRATB

חלק מלאי: 123

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 45V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8J2TR

TT8J2TR

חלק מלאי: 170382

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

US6K2TR

US6K2TR

חלק מלאי: 124293

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,