Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
NTD85N02RT4G
ON Semiconductor

NTD85N02RT4G

חלק מלאי: 6094

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 24V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 85A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SFU9220TU_AM002
ON Semiconductor

SFU9220TU_AM002

חלק מלאי: 737

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

רשימת משאלות
HUF75637S3_NR4895
ON Semiconductor

HUF75637S3_NR4895

חלק מלאי: 616

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V,

רשימת משאלות
NTTS2P02R2G
ON Semiconductor

NTTS2P02R2G

חלק מלאי: 837

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

רשימת משאלות
FQD10N20CTM_F080
ON Semiconductor

FQD10N20CTM_F080

חלק מלאי: 6120

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V,

רשימת משאלות
FQP47P06_NW82049
ON Semiconductor

FQP47P06_NW82049

חלק מלאי: 670

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 23.5A, 10V,

רשימת משאלות
FQD7P06TM_NB82050
ON Semiconductor

FQD7P06TM_NB82050

חלק מלאי: 573

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

רשימת משאלות
NTMS4873NFR2G
ON Semiconductor

NTMS4873NFR2G

חלק מלאי: 653

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
FQB3N60CTM
ON Semiconductor

FQB3N60CTM

חלק מלאי: 648

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

רשימת משאלות
NTGD3147FT1G
ON Semiconductor

NTGD3147FT1G

חלק מלאי: 6125

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

רשימת משאלות
CPH3348-TL-E
ON Semiconductor

CPH3348-TL-E

חלק מלאי: 6089

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
VN2222LLRLRAG
ON Semiconductor

VN2222LLRLRAG

חלק מלאי: 6166

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות
IRFS654B_FP001
ON Semiconductor

IRFS654B_FP001

חלק מלאי: 717

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V,

רשימת משאלות
NTHD5904NT1G
ON Semiconductor

NTHD5904NT1G

חלק מלאי: 838

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

רשימת משאלות
FDU6680
ON Semiconductor

FDU6680

חלק מלאי: 575

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 46A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

רשימת משאלות
NTS4172NT1G
ON Semiconductor

NTS4172NT1G

חלק מלאי: 690

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.7A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4849NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4849NT1G

חלק מלאי: 663

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10.2A (Ta), 71A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDC2512_F095
ON Semiconductor

FDC2512_F095

חלק מלאי: 617

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425 mOhm @ 1.4A, 10V,

רשימת משאלות
NTTS2P03R2G
ON Semiconductor

NTTS2P03R2G

חלק מלאי: 896

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.48A, 10V,

רשימת משאלות
NTD40N03RG
ON Semiconductor

NTD40N03RG

חלק מלאי: 294

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 32A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
FDP8442
ON Semiconductor

FDP8442

חלק מלאי: 354

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
NTD95N02RG
ON Semiconductor

NTD95N02RG

חלק מלאי: 342

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 24V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4708NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4708NT1G

חלק מלאי: 337

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

רשימת משאלות
NTD78N03-001
ON Semiconductor

NTD78N03-001

חלק מלאי: 340

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

רשימת משאלות
FDB3632
ON Semiconductor

FDB3632

חלק מלאי: 40642

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
NTGS3443T2G
ON Semiconductor

NTGS3443T2G

חלק מלאי: 451

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

רשימת משאלות
NTD3055L104G
ON Semiconductor

NTD3055L104G

חלק מלאי: 291

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 6A, 5V,

רשימת משאלות
NTD25P03LRLG
ON Semiconductor

NTD25P03LRLG

חלק מלאי: 455

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 5V,

רשימת משאלות
NTGS4111PT1
ON Semiconductor

NTGS4111PT1

חלק מלאי: 331

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

רשימת משאלות
NTD4815NH-35G
ON Semiconductor

NTD4815NH-35G

חלק מלאי: 492

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
NTD4810NHT4G
ON Semiconductor

NTD4810NHT4G

חלק מלאי: 449

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDP5N50
ON Semiconductor

FDP5N50

חלק מלאי: 557

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4841NHT1G
ON Semiconductor

NTMFS4841NHT1G

חלק מלאי: 118611

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta), 59A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4119NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4119NT3G

חלק מלאי: 377

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

רשימת משאלות
NTD4856NT4G
ON Semiconductor

NTD4856NT4G

חלק מלאי: 520

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
NTD5407NT4G
ON Semiconductor

NTD5407NT4G

חלק מלאי: 461

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 38A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות