טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

2N7000BU

חלק מלאי: 155891

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000-D26Z

חלק מלאי: 30133

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002WT1G

חלק מלאי: 187851

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KW

חלק מלאי: 157123

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000TA

חלק מלאי: 141923

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002KT1G

חלק מלאי: 170630

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KT1G

חלק מלאי: 188988

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002WT1G

חלק מלאי: 194951

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002LT3G

חלק מלאי: 180012

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002L

חלק מלאי: 150772

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000

חלק מלאי: 155873

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002W

חלק מלאי: 158579

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002LT3G

חלק מלאי: 113499

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002K

חלק מלאי: 167894

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002ET1G

חלק מלאי: 156724

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V,

2V7002LT1G

חלק מלאי: 187770

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002

חלק מלאי: 115378

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002LT1G

חלק מלאי: 126299

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

3LP01SS-TL-EX

חלק מלאי: 2251

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

חלק מלאי: 130398

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

חלק מלאי: 174489

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

חלק מלאי: 1963

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

חלק מלאי: 161259

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

חלק מלאי: 137899

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

חלק מלאי: 133843

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

חלק מלאי: 111476

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

חלק מלאי: 1924

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

חלק מלאי: 1979

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

חלק מלאי: 1806

3LP01M-TL-E

חלק מלאי: 137438

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

חלק מלאי: 1190

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

חלק מלאי: 1133

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

חלק מלאי: 1184

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

חלק מלאי: 1110

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

חלק מלאי: 9511

5LN01C-TB-EX

חלק מלאי: 2353