Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
FDB2710
ON Semiconductor

FDB2710

חלק מלאי: 21533

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
FDP3672
ON Semiconductor

FDP3672

חלק מלאי: 34753

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 105V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Ta), 41A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 41A, 10V,

רשימת משאלות
FQP6N90C
ON Semiconductor

FQP6N90C

חלק מלאי: 41686

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 900V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות
NTD4808N-1G
ON Semiconductor

NTD4808N-1G

חלק מלאי: 139308

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDPF51N25RDTU
ON Semiconductor

FDPF51N25RDTU

חלק מלאי: 35196

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V,

רשימת משאלות
NTHL110N65S3F
ON Semiconductor

NTHL110N65S3F

חלק מלאי: 2637

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
FCH125N65S3R0-F155
ON Semiconductor

FCH125N65S3R0-F155

חלק מלאי: 2836

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 12A, 10V,

רשימת משאלות
FCH104N60F
ON Semiconductor

FCH104N60F

חלק מלאי: 11414

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 18.5A, 10V,

רשימת משאלות
FCH072N60F
ON Semiconductor

FCH072N60F

חלק מלאי: 9769

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 26A, 10V,

רשימת משאלות
FDB390N15A
ON Semiconductor

FDB390N15A

חלק מלאי: 76673

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 27A, 10V,

רשימת משאלות
FDB024N06
ON Semiconductor

FDB024N06

חלק מלאי: 27613

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

רשימת משאלות
FDA032N08
ON Semiconductor

FDA032N08

חלק מלאי: 14825

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

רשימת משאלות
HUF75345G3
ON Semiconductor

HUF75345G3

חלק מלאי: 16907

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

רשימת משאלות
FQA13N80-F109
ON Semiconductor

FQA13N80-F109

חלק מלאי: 2894

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 6.3A, 10V,

רשימת משאלות
FDB0165N807L
ON Semiconductor

FDB0165N807L

חלק מלאי: 20598

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 310A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 36A, 10V,

רשימת משאלות
FQA7N80C-F109
ON Semiconductor

FQA7N80C-F109

חלק מלאי: 2819

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות
FCH040N65S3-F155
ON Semiconductor

FCH040N65S3-F155

חלק מלאי: 1507

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 32.5A, 10V,

רשימת משאלות
FCP165N65S3
ON Semiconductor

FCP165N65S3

חלק מלאי: 3662

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 9.5A, 10V,

רשימת משאלות
FCP600N60Z
ON Semiconductor

FCP600N60Z

חלק מלאי: 4255

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.7A, 10V,

רשימת משאלות
FDA50N50
ON Semiconductor

FDA50N50

חלק מלאי: 11843

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 24A, 10V,

רשימת משאלות
FCP20N60
ON Semiconductor

FCP20N60

חלק מלאי: 10175

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
FDPF7N60NZ
ON Semiconductor

FDPF7N60NZ

חלק מלאי: 55956

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.25A, 10V,

רשימת משאלות
FCA20N60F
ON Semiconductor

FCA20N60F

חלק מלאי: 10392

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
FDB8860
ON Semiconductor

FDB8860

חלק מלאי: 44713

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
FQA11N90-F109
ON Semiconductor

FQA11N90-F109

חלק מלאי: 2876

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 900V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 5.7A, 10V,

רשימת משאלות
FDB2552-F085
ON Semiconductor

FDB2552-F085

חלק מלאי: 4307

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 37A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V,

רשימת משאלות
FQA8N90C-F109
ON Semiconductor

FQA8N90C-F109

חלק מלאי: 3836

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 900V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות
FDP2572
ON Semiconductor

FDP2572

חלק מלאי: 34634

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), 29A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V,

רשימת משאלות
FQP27N25
ON Semiconductor

FQP27N25

חלק מלאי: 33145

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.75A, 10V,

רשימת משאלות
FQP44N10
ON Semiconductor

FQP44N10

חלק מלאי: 39643

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 43.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 21.75A, 10V,

רשימת משאלות
FCP190N60
ON Semiconductor

FCP190N60

חלק מלאי: 18330

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
FQPF85N06
ON Semiconductor

FQPF85N06

חלק מלאי: 22909

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26.5A, 10V,

רשימת משאלות
HUF75639P3-F102
ON Semiconductor

HUF75639P3-F102

חלק מלאי: 4311

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

רשימת משאלות
FQA170N06
ON Semiconductor

FQA170N06

חלק מלאי: 8959

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 85A, 10V,

רשימת משאלות
FDB9406L-F085
ON Semiconductor

FDB9406L-F085

חלק מלאי: 4266

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
FDB9406-F085
ON Semiconductor

FDB9406-F085

חלק מלאי: 4251

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות