Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
FDMS86550ET60
ON Semiconductor

FDMS86550ET60

חלק מלאי: 38559

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 245A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 32A, 10V,

רשימת משאלות
FDB0105N407L
ON Semiconductor

FDB0105N407L

חלק מלאי: 22782

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 460A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 50A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS5C430NT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C430NT1G

חלק מלאי: 65621

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 185A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4C05NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C05NT1G

חלק מלאי: 195533

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11.9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDB86566-F085
ON Semiconductor

FDB86566-F085

חלק מלאי: 207

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
FDMS4D4N08C
ON Semiconductor

FDMS4D4N08C

חלק מלאי: 198

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 123A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 44A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4C09NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C09NAT1G

חלק מלאי: 111820

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDMC010N08LC
ON Semiconductor

FDMC010N08LC

חלק מלאי: 114

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 16A, 10V,

רשימת משאלות
FDMC013P030Z
ON Semiconductor

FDMC013P030Z

חלק מלאי: 66508

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V,

רשימת משאלות
FDD9507L-F085
ON Semiconductor

FDD9507L-F085

חלק מלאי: 138

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4C027NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C027NT3G

חלק מלאי: 181483

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 18A, 10V,

רשימת משאלות
FCP290N80
ON Semiconductor

FCP290N80

חלק מלאי: 20723

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

רשימת משאלות
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A302PLZT4G

חלק מלאי: 67654

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS5C430NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C430NLT1G

חלק מלאי: 76552

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS5C670NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C670NLT1G

חלק מלאי: 138929

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

רשימת משאלות
MCH6336-TL-W
ON Semiconductor

MCH6336-TL-W

חלק מלאי: 115488

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 4.5V,

רשימת משאלות
FDMC2514SDC
ON Semiconductor

FDMC2514SDC

חלק מלאי: 61693

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 22.5A, 10V,

רשימת משאלות
NDFPD1N150CG
ON Semiconductor

NDFPD1N150CG

חלק מלאי: 42184

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4899NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4899NFT1G

חלק מלאי: 126804

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10.4A (Ta), 75A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4982NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4982NFT1G

חלק מלאי: 85090

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 26.5A (Ta), 207A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4C10NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C10NT1G

חלק מלאי: 163012

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDMC2D8N025S
ON Semiconductor

FDMC2D8N025S

חלק מלאי: 115083

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 124A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4C08NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C08NT3G

חלק מלאי: 187076

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 52A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

רשימת משאלות
FDMS0312S
ON Semiconductor

FDMS0312S

חלק מלאי: 188964

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 42A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 18A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS5C628NLT3G
ON Semiconductor

NTMFS5C628NLT3G

חלק מלאי: 99884

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

רשימת משאלות
FDS3590
ON Semiconductor

FDS3590

חלק מלאי: 125852

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6.5A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4C302NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C302NT1G

חלק מלאי: 236

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta), 230A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS4C024NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C024NT1G

חלק מלאי: 161837

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 21.7A (Ta), 78A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDBL0630N150
ON Semiconductor

FDBL0630N150

חלק מלאי: 24111

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 169A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
FQPF20N06
ON Semiconductor

FQPF20N06

חלק מלאי: 42857

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 7.5A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS5C442NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C442NLT1G

חלק מלאי: 125065

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 130A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

רשימת משאלות
NVMS5P02R2G
ON Semiconductor

NVMS5P02R2G

חלק מלאי: 188044

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.95A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

רשימת משאלות
NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C06NBT1G

חלק מלאי: 141584

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 69A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
FDB9409-F085
ON Semiconductor

FDB9409-F085

חלק מלאי: 184

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
NTMFS10N3D2C
ON Semiconductor

NTMFS10N3D2C

חלק מלאי: 197

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 151A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 67A, 10V,

רשימת משאלות
FDMS8350LET40
ON Semiconductor

FDMS8350LET40

חלק מלאי: 40458

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 49A (Ta), 300A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 47A, 10V,

רשימת משאלות