סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: SiCFET (Silicon Carbide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: SiCFET (Silicon Carbide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 20V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: SiCFET (Silicon Carbide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 1200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 20V,
