Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
IPI075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies

IPI075N15N3GHKSA1

חלק מלאי: 763

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות
SPI15N65C3XKSA1
Infineon Technologies

SPI15N65C3XKSA1

חלק מלאי: 32225

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

רשימת משאלות
IRF7704GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7704GTRPBF

חלק מלאי: 624

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 10V,

רשימת משאלות
IPS50R520CP
Infineon Technologies

IPS50R520CP

חלק מלאי: 787

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 550V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

רשימת משאלות
IRF8707GPBF
Infineon Technologies

IRF8707GPBF

חלק מלאי: 896

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות
IPI60R250CPAKSA1
Infineon Technologies

IPI60R250CPAKSA1

חלק מלאי: 797

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

רשימת משאלות
IRFS4115-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS4115-7PPBF

חלק מלאי: 836

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

רשימת משאלות
IPI100N04S303AKSA1
Infineon Technologies

IPI100N04S303AKSA1

חלק מלאי: 775

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IPI06CN10N G
Infineon Technologies

IPI06CN10N G

חלק מלאי: 755

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות
IPB05CN10N G
Infineon Technologies

IPB05CN10N G

חלק מלאי: 765

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות
IPP80N06S2LH5AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S2LH5AKSA1

חלק מלאי: 831

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IPI024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPI024N06N3GXKSA1

חלק מלאי: 23226

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות
IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L07ATMA1

חלק מלאי: 765

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 60A, 10V,

רשימת משאלות
IPB80N06S205ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S205ATMA1

חלק מלאי: 822

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IPW50R350CPFKSA1
Infineon Technologies

IPW50R350CPFKSA1

חלק מלאי: 34124

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 550V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.6A, 10V,

רשימת משאלות
IPI90R800C3XKSA1
Infineon Technologies

IPI90R800C3XKSA1

חלק מלאי: 59550

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 900V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.1A, 10V,

רשימת משאלות
IPI35CN10N G
Infineon Technologies

IPI35CN10N G

חלק מלאי: 781

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 27A, 10V,

רשימת משאלות
IPD170N04NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD170N04NGBTMA1

חלק מלאי: 788

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
IPI070N06N G
Infineon Technologies

IPI070N06N G

חלק מלאי: 795

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IRFH7936TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7936TR2PBF

חלק מלאי: 832

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 54A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
IPP50R250CPHKSA1
Infineon Technologies

IPP50R250CPHKSA1

חלק מלאי: 788

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

רשימת משאלות
IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies

IPB160N04S2L03ATMA1

חלק מלאי: 800

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IPU78CN10N G
Infineon Technologies

IPU78CN10N G

חלק מלאי: 824

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 10V,

רשימת משאלות
IPP80N06S207AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S207AKSA1

חלק מלאי: 805

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10V,

רשימת משאלות
IRFS3107-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS3107-7PPBF

חלק מלאי: 9551

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 160A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR3707ZTRPBF
Infineon Technologies

IRFR3707ZTRPBF

חלק מלאי: 178734

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
IPP22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies

IPP22N03S4L15AKSA1

חלק מלאי: 6103

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 22A, 10V,

רשימת משאלות
IPI50CN10NGHKSA1
Infineon Technologies

IPI50CN10NGHKSA1

חלק מלאי: 763

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies

IPI12CNE8N G

חלק מלאי: 834

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 85V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

רשימת משאלות
IPP80N04S204AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N04S204AKSA1

חלק מלאי: 844

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S207ATMA1

חלק מלאי: 6100

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 68A, 10V,

רשימת משאלות
IPB80N06S2L11ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L11ATMA1

חלק מלאי: 815

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 60A, 10V,

רשימת משאלות
IRFSL5620PBF
Infineon Technologies

IRFSL5620PBF

חלק מלאי: 702

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR4620PBF
Infineon Technologies

IRFR4620PBF

חלק מלאי: 41008

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
IRFR3411TRPBF
Infineon Technologies

IRFR3411TRPBF

חלק מלאי: 111662

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 16A, 10V,

רשימת משאלות
IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies

IPB80N06S2L-H5

חלק מלאי: 6126

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות