טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

IRF7210TRPBF

חלק מלאי: 1024

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 4.5V,

IPB90N06S4L04ATMA1

חלק מלאי: 932

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 90A, 10V,

IRF6708S2TR1PBF

חלק מלאי: 1026

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 13A, 10V,

IRLH5036TR2PBF

חלק מלאי: 952

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V,

IPP65R380E6XKSA1

חלק מלאי: 1004

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

IPD031N03M G

חלק מלאי: 936

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 30A, 10V,

IRLHS2242TR2PBF

חלק מלאי: 1107

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

IPP60R950C6XKSA1

חלק מלאי: 902

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

IPD90N06S4L06ATMA1

חלק מלאי: 889

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 90A, 10V,

IRFR3704ZTRPBF

חלק מלאי: 6113

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

IRFH5006TR2PBF

חלק מלאי: 985

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

IRF6668TR1

חלק מלאי: 5629

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V,

IRFH5110TR2PBF

חלק מלאי: 962

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 63A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 37A, 10V,

IRFH5025TR2PBF

חלק מלאי: 945

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.7A, 10V,

IPS118N10N G

חלק מלאי: 950

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 75A, 10V,

IRFH5207TR2PBF

חלק מלאי: 983

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 71A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 43A, 10V,

IPB70N04S3-07

חלק מלאי: 6151

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 70A, 10V,

SI4420DYTRPBF

חלק מלאי: 115864

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V,

IRFH7085TRPBF

חלק מלאי: 93203

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

IPI04CN10N G

חלק מלאי: 766

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 100A, 10V,

IPB79CN10N G

חלק מלאי: 809

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 13A, 10V,

SPP15P10PLGHKSA1

חלק מלאי: 6143

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11.3A, 10V,

IPI50R350CP

חלק מלאי: 806

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 550V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.6A, 10V,

IRF7468TRPBF

חלק מלאי: 155456

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.4A, 10V,

IRFSL4010PBF

חלק מלאי: 15928

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V,

IPD082N10N3GBTMA1

חלק מלאי: 800

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 73A, 10V,

IPD30N06S223ATMA1

חלק מלאי: 815

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 21A, 10V,

IRFH8318TRPBF

חלק מלאי: 169315

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

SPI20N60CFDHKSA1

חלק מלאי: 6153

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.1A, 10V,

IPI100P03P3L-04

חלק מלאי: 750

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

IRF7406TRPBF

חלק מלאי: 163751

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2.8A, 10V,

IRF7707GTRPBF

חלק מלאי: 678

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

IPI200N15N3 G

חלק מלאי: 777

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 50A, 10V,

IPI80N06S207AKSA1

חלק מלאי: 792

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10V,

IPW60R017C7XKSA1

חלק מלאי: 4151

IRFH3702TRPBF

חלק מלאי: 127529

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 42A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 16A, 10V,