טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 100

IPP60R125CFD7XKSA1

חלק מלאי: 2675

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 7.8A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPAW60R280P7SXKSA1

חלק מלאי: 43909

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 3.8A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRFB31N20DPBF

חלק מלאי: 31871

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPI040N06N3GXKSA1

חלק מלאי: 38792

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPW65R150CFDFKSA1

חלק מלאי: 23513

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 9.3A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRFB4115GPBF

חלק מלאי: 13897

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 62A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPP083N10N5AKSA1

חלק מלאי: 41699

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 73A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPA045N10N3GXKSA1

חלק מלאי: 25655

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 64A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPP057N06N3GXKSA1

חלק מלאי: 49577

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRFS7440TRLPBF

חלק מלאי: 80935

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPP80R1K4P7XKSA1

חלק מלאי: 48580

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPP50R140CPXKSA1

חלק מלאי: 15493

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 550V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPA80R1K4CEXKSA2

חלק מלאי: 49567

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRFB4137PBF

חלק מלאי: 10953

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 300V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 24A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPP50N10S3L16AKSA1

חלק מלאי: 41197

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7 mOhm @ 50A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB123N10N3GATMA1

חלק מלאי: 4318

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 46A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB027N10N5ATMA1

חלק מלאי: 30720

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPP120N20NFDAKSA1

חלק מלאי: 10879

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 84A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

SPP17N80C3XKSA1

חלק מלאי: 4350

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRF1010ZSTRLPBF

חלק מלאי: 83762

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 75A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPA90R1K2C3XKSA1

חלק מלאי: 4348

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 900V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRF2807PBF

חלק מלאי: 39586

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 82A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 43A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB320N20N3GATMA1

חלק מלאי: 4388

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 34A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRL2203NSTRLPBF

חלק מלאי: 70999

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 116A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB049NE7N3GATMA1

חלק מלאי: 4318

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRL3713PBF

חלק מלאי: 29774

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 260A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 38A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRFS52N15DTRLP

חלק מלאי: 66330

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRFB7787PBF

חלק מלאי: 46087

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 46A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPU80R2K0P7AKMA1

חלק מלאי: 71867

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 940mA, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB042N03LGATMA1

חלק מלאי: 4362

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

SPP18P06PHXKSA1

חלק מלאי: 5986

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 18.7A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.2A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB80N06S2H5ATMA2

חלק מלאי: 54406

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB100N04S204ATMA4

חלק מלאי: 49274

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IPB020N04NGATMA1

חלק מלאי: 4358

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRFB7446GPBF

חלק מלאי: 42169

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 70A, 10V,

רשימת משאלות

Infineon Technologies

IRL1004PBF

חלק מלאי: 22510

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 78A, 10V,

רשימת משאלות