Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R900P7XKSA1

חלק מלאי: 40478

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.2A, 10V,

רשימת משאלות
IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies

IPP50R380CEXKSA1

חלק מלאי: 2653

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 13V,

רשימת משאלות
IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies

IPW60R099CPFKSA1

חלק מלאי: 2342

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

רשימת משאלות
IRFBA1405PPBF
Infineon Technologies

IRFBA1405PPBF

חלק מלאי: 23431

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 174A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 101A, 10V,

רשימת משאלות
IRLR3705ZPBF
Infineon Technologies

IRLR3705ZPBF

חלק מלאי: 42598

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V,

רשימת משאלות
SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies

SPP20N60C3XKSA1

חלק מלאי: 15072

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

רשימת משאלות
IPA041N04NGXKSA1
Infineon Technologies

IPA041N04NGXKSA1

חלק מלאי: 60098

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 70A, 10V,

רשימת משאלות
IPA60R385CPXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R385CPXKSA1

חלק מלאי: 29565

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

רשימת משאלות
IRFZ44VZSPBF
Infineon Technologies

IRFZ44VZSPBF

חלק מלאי: 31735

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

רשימת משאלות
IRF5210LPBF
Infineon Technologies

IRF5210LPBF

חלק מלאי: 26047

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 38A, 10V,

רשימת משאלות
IPP120N04S302AKSA1
Infineon Technologies

IPP120N04S302AKSA1

חלק מלאי: 19704

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IRFZ44ESTRLPBF
Infineon Technologies

IRFZ44ESTRLPBF

חלק מלאי: 107278

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 29A, 10V,

רשימת משאלות
IPU95R450P7AKMA1
Infineon Technologies

IPU95R450P7AKMA1

חלק מלאי: 2929

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 950V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.2A, 10V,

רשימת משאלות
IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R280P7XKSA1

חלק מלאי: 22078

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 7.2A, 10V,

רשימת משאלות
IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R125C6XKSA1

חלק מלאי: 2766

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

רשימת משאלות
IPP029N06NAKSA1
Infineon Technologies

IPP029N06NAKSA1

חלק מלאי: 29786

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות
IRF3808STRLPBF
Infineon Technologies

IRF3808STRLPBF

חלק מלאי: 46803

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 106A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82A, 10V,

רשימת משאלות
IRF1310NPBF
Infineon Technologies

IRF1310NPBF

חלק מלאי: 42828

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 22A, 10V,

רשימת משאלות
IRLIZ44NPBF
Infineon Technologies

IRLIZ44NPBF

חלק מלאי: 46079

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V,

רשימת משאלות
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R190E6FKSA1

חלק מלאי: 3332

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

רשימת משאלות
IPP015N04NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP015N04NGXKSA1

חלק מלאי: 17642

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות
IRF200P222
Infineon Technologies

IRF200P222

חלק מלאי: 6749

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 182A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 82A, 10V,

רשימת משאלות
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFS4310ZTRLPBF

חלק מלאי: 43733

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

רשימת משאלות
IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies

IPP65R110CFDAAKSA1

חלק מלאי: 9871

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 31.2A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

רשימת משאלות
IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R225C7XKSA1

חלק מלאי: 24190

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 4.8A, 10V,

רשימת משאלות
IPA50R250CPXKSA1
Infineon Technologies

IPA50R250CPXKSA1

חלק מלאי: 3175

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

רשימת משאלות
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies

IPSA70R2K0P7SAKMA1

חלק מלאי: 2932

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 700V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות
IPAW60R280CEXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R280CEXKSA1

חלק מלאי: 69618

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19.3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.5A, 10V,

רשימת משאלות
IRF4905LPBF
Infineon Technologies

IRF4905LPBF

חלק מלאי: 29799

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

רשימת משאלות
IPP052N06L3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP052N06L3GXKSA1

חלק מלאי: 49565

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IRFP4227PBF
Infineon Technologies

IRFP4227PBF

חלק מלאי: 16503

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 46A, 10V,

רשימת משאלות
IPP80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies

IPP80P03P4L04AKSA1

חלק מלאי: 33447

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

רשימת משאלות
IPAN80R450P7XKSA1
Infineon Technologies

IPAN80R450P7XKSA1

חלק מלאי: 2765

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,

רשימת משאלות
IPP100N10S305AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N10S305AKSA1

חלק מלאי: 20646

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות
IPP040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP040N06N3GXKSA1

חלק מלאי: 39840

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

רשימת משאלות
IRF100P219XKMA1
Infineon Technologies

IRF100P219XKMA1

חלק מלאי: 2602

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות