חיישנים אופטיים - רעיוני - פלט אנלוגי

TCRT1000

TCRT1000

חלק מלאי: 58154

מרחק חישה: 0.157" (4mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 32V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
TCRT5000L

TCRT5000L

חלק מלאי: 58186

מרחק חישה: 0.591" (15mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB746WZ

OPB746WZ

חלק מלאי: 4366

מרחק חישה: 0.300" (7.62mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Transistor, Base-Emitter Resistor,

לרשימת האם
OPB704

OPB704

חלק מלאי: 30593

מרחק חישה: 0.149" (3.8mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB70DWZ

OPB70DWZ

חלק מלאי: 16552

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Transistor,

לרשימת האם
OPB607C

OPB607C

חלק מלאי: 65767

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 125mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,

לרשימת האם
OPB730F

OPB730F

חלק מלאי: 9297

מרחק חישה: 0.250" (6.35mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,

לרשימת האם
OPB705WZ

OPB705WZ

חלק מלאי: 21773

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB732W

OPB732W

חלק מלאי: 2761

מרחק חישה: 3" (76.2mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB606B

OPB606B

חלק מלאי: 71504

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB609GU

OPB609GU

חלק מלאי: 2766

שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB742WZ

OPB742WZ

חלק מלאי: 21355

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB741

OPB741

חלק מלאי: 31506

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB744

OPB744

חלק מלאי: 27479

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB700ALZ

OPB700ALZ

חלק מלאי: 8398

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB755T

OPB755T

חלק מלאי: 2758

מרחק חישה: 0.220" (5.59mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
OPB710

OPB710

חלק מלאי: 9045

מרחק חישה: 0.250" (6.35mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
QRB1113

QRB1113

חלק מלאי: 2703

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
QRB1114

QRB1114

חלק מלאי: 2747

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
QRC1133

QRC1133

חלק מלאי: 2700

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
ITR20001/T

ITR20001/T

חלק מלאי: 146389

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
ITR8307/L24/TR8

ITR8307/L24/TR8

חלק מלאי: 160874

מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
EAITRCA8

EAITRCA8

חלק מלאי: 140638

שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
ITR8307/F43

ITR8307/F43

חלק מלאי: 144812

מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
SFH 9202-2/3-Z

SFH 9202-2/3-Z

חלק מלאי: 2766

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 10mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
SFH 9201-Z

SFH 9201-Z

חלק מלאי: 2734

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
CNB10112

CNB10112

חלק מלאי: 2697

מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 30mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
HBCS-1100

HBCS-1100

חלק מלאי: 2727

מרחק חישה: 0.168" (4.27mm), שיטת חישה: Reflective, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 8mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
LTH-1550-06

LTH-1550-06

חלק מלאי: 2713

שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
EE-SY110

EE-SY110

חלק מלאי: 15782

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
EE-SF5

EE-SF5

חלק מלאי: 2766

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
Z4D-A03

Z4D-A03

חלק מלאי: 2778

לרשימת האם
HOA1406-001

HOA1406-001

חלק מלאי: 2499

מרחק חישה: 0.120" (3.05mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם
RPR-220

RPR-220

חלק מלאי: 39202

מרחק חישה: 0.236" (6mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 30mA, סוג פלט: Phototransistor,

לרשימת האם