מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.220" (5.59mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.220" (5.59mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.220" (5.59mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 12mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.250" (6.35mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Transistor, Base-Emitter Resistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.236" (6mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 30mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.157" (4mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 15mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.250" (6.35mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.05" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 10mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 16V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 10mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.02" (0.5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Phototransistor,
