Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - רווק

2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

חלק מלאי: 6942

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

חלק מלאי: 6984

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,S1CSF(J

חלק מלאי: 7010

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1837,HFEYHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(M

חלק מלאי: 6997

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1837,HFEYHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(J

חלק מלאי: 6944

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1837,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,F(J

חלק מלאי: 6994

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1837(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(PAIO,F,M)

חלק מלאי: 6991

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1837(LBSAN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(LBSAN,F,M)

חלק מלאי: 6710

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 230V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1761,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(M

חלק מלאי: 6956

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1761,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(J

חלק מלאי: 6934

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1761,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,F(J

חלק מלאי: 6947

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1680,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6F(J

חלק מלאי: 7016

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1680,T6SCMDF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6SCMDF(J

חלק מלאי: 6980

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1680,T6ASTIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6ASTIF(J

חלק מלאי: 7010

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1680,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,F(J

חלק מלאי: 6927

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1680(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(F,M)

חלק מלאי: 6950

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1680(T6DNSO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(T6DNSO,F,M

חלק מלאי: 6992

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2TR,F,M

חלק מלאי: 6995

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 80V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2OMI,FM

חלק מלאי: 6951

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 80V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(M

חלק מלאי: 6771

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(J

חלק מלאי: 6920

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1428-O,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2WNLF(J

חלק מלאי: 6933

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y(T2TR,A,F

חלק מלאי: 7010

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1428-O,T2CLAF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(M

חלק מלאי: 6706

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1428-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(J

חלק מלאי: 7011

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1425-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1425-Y,T2F(J

חלק מלאי: 6927

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA1382,T6MIBF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1382,T6MIBF(J

חלק מלאי: 6952

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 33mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1315-Y,T6ASNF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,T6ASNF(J

חלק מלאי: 6974

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 80V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1315-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

חלק מלאי: 6974

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 80V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6F(J

חלק מלאי: 6924

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6KEHF(M

חלק מלאי: 6919

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,HOF(M

חלק מלאי: 6991

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(J

חלק מלאי: 7009

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR1,AF

חלק מלאי: 6921

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

חלק מלאי: 6978

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6ND3,AF

חלק מלאי: 6994

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם