Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - רווק

2SC2229-Y(T6ONK1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

חלק מלאי: 6992

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-Y(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

חלק מלאי: 6990

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-Y(SAN2,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

חלק מלאי: 7022

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-Y(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

חלק מלאי: 7021

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-Y(MIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

חלק מלאי: 6703

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-Y(MIT1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

חלק מלאי: 6975

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(T6SHP1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

חלק מלאי: 7020

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

חלק מלאי: 7022

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

חלק מלאי: 6954

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

חלק מלאי: 6948

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

חלק מלאי: 6990

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

חלק מלאי: 6947

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

חלק מלאי: 7035

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

חלק מלאי: 7005

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

חלק מלאי: 6999

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

חלק מלאי: 7004

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 400mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 80V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

לרשימת האם
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

חלק מלאי: 6754

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 400mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 80V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

לרשימת האם
2SB1495,Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

חלק מלאי: 6942

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

לרשימת האם
2SB1495,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

חלק מלאי: 6995

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

לרשימת האם
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

חלק מלאי: 7000

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
2SB1481(TOJS,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

חלק מלאי: 6996

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 4A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 2µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

לרשימת האם
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

חלק מלאי: 6949

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

חלק מלאי: 6958

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

חלק מלאי: 6947

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
2SB1375,CLARIONF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

חלק מלאי: 6980

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 60V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

לרשימת האם
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

חלק מלאי: 7012

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 2A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 100V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

חלק מלאי: 6968

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA965-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

חלק מלאי: 7012

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA965-Y,SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

חלק מלאי: 6956

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

חלק מלאי: 6980

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

חלק מלאי: 6968

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

חלק מלאי: 7009

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

חלק מלאי: 6956

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

חלק מלאי: 6969

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 150V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

חלק מלאי: 7016

סוג טרנזיסטור: PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 800mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 120V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

לרשימת האם
2SC6017-E
ON Semiconductor

2SC6017-E

חלק מלאי: 111005

סוג טרנזיסטור: NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 10A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

לרשימת האם